N-kanal transistor IRFR4105, 19A, 27A, 0.025mA, 27A, 0.045 Ohms, D-PAK TO-252AA, 55V

N-kanal transistor IRFR4105, 19A, 27A, 0.025mA, 27A, 0.045 Ohms, D-PAK TO-252AA, 55V

Antal
Enhedspris
1-4
9.01kr
5-49
7.44kr
50-99
6.28kr
100+
5.64kr
Antal på lager: 4

N-kanal transistor IRFR4105, 19A, 27A, 0.025mA, 27A, 0.045 Ohms, D-PAK TO-252AA, 55V. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. Idss: 0.025mA. Idss (maks.): 27A. On-resistance Rds On: 0.045 Ohms. Hus (i henhold til datablad): D-PAK TO-252AA. Spænding Vds (maks.): 55V. Funktion: td(on) 7ns. Id(imp): 100A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 68W. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFR4105
17 parametre
ID (T=100°C)
19A
ID (T=25°C)
27A
Idss
0.025mA
Idss (maks.)
27A
On-resistance Rds On
0.045 Ohms
Hus (i henhold til datablad)
D-PAK TO-252AA
Spænding Vds (maks.)
55V
Funktion
td(on) 7ns
Id(imp)
100A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Pd (Strømafledning, maks.) )
68W
RoHS
ja
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier