N-kanal transistor IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

N-kanal transistor IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Antal
Enhedspris
1-4
8.66kr
5-29
7.33kr
30-74
6.39kr
75-149
5.76kr
150+
4.57kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 54

N-kanal transistor IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss: 0.025mA. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 3 Ohms. Hus (i henhold til datablad): D-PAK TO-252AA. Spænding Vds (maks.): 500V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 8A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 42W. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFR420
24 parametre
ID (T=100°C)
1.5A
ID (T=25°C)
2.4A
Idss
0.025mA
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
3 Ohms
Hus (i henhold til datablad)
D-PAK TO-252AA
Spænding Vds (maks.)
500V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
8A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Pd (Strømafledning, maks.) )
42W
RoHS
ja
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til IRFR420