N-kanal transistor IRFU120N, TO251AA, IPAK
Antal
Enhedspris
1-4
20.49kr
5-9
12.79kr
10-19
11.67kr
20-49
10.98kr
50+
10.44kr
| Antal på lager: 10 |
N-kanal transistor IRFU120N, TO251AA, IPAK. Hus: TO251AA, IPAK. Boliger termisk modstand: 3.2K/W. Drænkildespænding: 100V. Effekt: 39W. Gate-source spænding: 20V, ±20V. Montering / installation: THT. Oplade: 16.7nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET®. Type transistor: N-MOSFET, HEXFET. Tøm strøm: 9.1A. Originalt produkt fra producenten: Infineon (irf). Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30
IRFU120N
13 parametre
Hus
TO251AA, IPAK
Boliger termisk modstand
3.2K/W
Drænkildespænding
100V
Effekt
39W
Gate-source spænding
20V, ±20V
Montering / installation
THT
Oplade
16.7nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Teknologi
HEXFET®
Type transistor
N-MOSFET, HEXFET
Tøm strøm
9.1A
Originalt produkt fra producenten
Infineon (irf)