N-kanal transistor IRFU210, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V

N-kanal transistor IRFU210, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V

Antal
Enhedspris
1-4
10.29kr
5-24
8.51kr
25-49
7.18kr
50+
6.49kr
Antal på lager: 76

N-kanal transistor IRFU210, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 1.5 Ohms. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spænding Vds (maks.): 200V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 140pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 10A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 53pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja. Td(fra): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFU210
28 parametre
ID (T=100°C)
1.7A
ID (T=25°C)
2.6A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
1.5 Ohms
Hus
TO-251 ( I-Pak )
Hus (i henhold til datablad)
TO-251AA ( I-PAK )
Spænding Vds (maks.)
200V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
140pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
10A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
53pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
25W
RoHS
ja
Td(fra)
14 ns
Td(on)
8.2 ns
Trr-diode (min.)
150 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Vishay