N-kanal transistor IRFZ24N, TO-220, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220AB, 55V. Hus: TO-220. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 17A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.07 Ohms. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. Boliger termisk modstand: 3.3K/W. C (i): 370pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Drænkildespænding: 55V. Effekt: 45W. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Gate-source spænding: 20V, ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 68A. Kanaltype: N. Konditionering: tubus. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 140pF. Oplade: 13.3nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Td(fra): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Tøm strøm: 17A. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30