N-kanal transistor IRFZ46N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

N-kanal transistor IRFZ46N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Antal
Enhedspris
1-4
9.41kr
5-24
8.19kr
25-49
7.18kr
50-99
6.42kr
100+
5.36kr
Antal på lager: 135

N-kanal transistor IRFZ46N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 16.5m Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1696pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ultra Low On-Resistance. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 180A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 407pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 107W. RoHS: ja. Td(fra): 52 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 67 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFZ46N
31 parametre
ID (T=100°C)
37A
ID (T=25°C)
53A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
16.5m Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
55V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
1696pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ultra Low On-Resistance
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
180A
Kanaltype
N
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
50
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
407pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
107W
RoHS
ja
Td(fra)
52 ns
Td(on)
14 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
67 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier