N-kanal transistor IRFZ46NL, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V

N-kanal transistor IRFZ46NL, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V

Antal
Enhedspris
1-4
9.94kr
5-49
8.22kr
50-99
6.89kr
100+
6.23kr
Antal på lager: 11

N-kanal transistor IRFZ46NL, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 16.5m Ohms. Hus: TO-262 ( I2-PAK ). Hus (i henhold til datablad): TO-262. Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 1696pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ultra Low On-Resistance. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 180A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 407pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. RoHS: ja. Td(fra): 52 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 67 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFZ46NL
31 parametre
ID (T=100°C)
37A
ID (T=25°C)
53A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
16.5m Ohms
Hus
TO-262 ( I2-PAK )
Hus (i henhold til datablad)
TO-262
Spænding Vds (maks.)
55V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
1696pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ultra Low On-Resistance
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
180A
Kanaltype
N
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
50
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
407pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
120W
RoHS
ja
Td(fra)
52 ns
Td(on)
14 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
67 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier