N-kanal transistor IRFZ48N, TO-220, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220AB, 55V

N-kanal transistor IRFZ48N, TO-220, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220AB, 55V

Antal
Enhedspris
1-4
11.67kr
5-24
9.98kr
25-49
8.64kr
50-99
7.50kr
100+
6.00kr
+25 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 133

N-kanal transistor IRFZ48N, TO-220, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220AB, 55V. Hus: TO-220. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 64A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.014 Ohms. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. Boliger termisk modstand: 1.6K/W. C (i): 1970pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Drænkildespænding: 55V. Effekt: 94W. Funktion: Ultra Low On-Resistance. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Gate-source spænding: 20V, ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 210A. Kanaltype: N. Konditionering: tubus. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 470pF. Oplade: 54nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 140W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Td(fra): 34 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 68 ns. Type transistor: MOSFET. Tøm strøm: 64A. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFZ48N
38 parametre
Hus
TO-220
ID (T=100°C)
32A
ID (T=25°C)
64A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.014 Ohms
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
55V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
Boliger termisk modstand
1.6K/W
C (i)
1970pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Drænkildespænding
55V
Effekt
94W
Funktion
Ultra Low On-Resistance
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
Gate-source spænding
20V, ±20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
210A
Kanaltype
N
Konditionering
tubus
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
470pF
Oplade
54nC
Pd (Strømafledning, maks.) )
140W
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Td(fra)
34 ns
Td(on)
12 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
68 ns
Type transistor
MOSFET
Tøm strøm
64A
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier