N-kanal transistor IRG4BC30W, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V

N-kanal transistor IRG4BC30W, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V

Antal
Enhedspris
1-4
39.39kr
5-24
34.57kr
25-49
31.01kr
50-99
28.38kr
100+
24.32kr
Antal på lager: 13

N-kanal transistor IRG4BC30W, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C (i): 980pF. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: effekt MOSFET transistor op til 150 kHz. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 92A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 23A. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mærkning på kabinettet: IRG 4BC30W. Mætningsspænding VCE (sat): 2.1V. Omkostninger): 71pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. RoHS: ja. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Td(fra): 99 ns. Td(on): 25 ns. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30

Teknisk dokumentation (PDF)
IRG4BC30W
28 parametre
Ic(T=100°C)
12A
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Kollektor/emitterspænding Vceo
600V
Antal terminaler
3
C (i)
980pF
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
effekt MOSFET transistor op til 150 kHz
Germanium diode
ingen
Ic (puls)
92A
Kanaltype
N
Kollektorstrøm
23A
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
50
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mærkning på kabinettet
IRG 4BC30W
Mætningsspænding VCE (sat)
2.1V
Omkostninger)
71pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
100W
Port/emitter spænding VGE
20V
Port/emitterspænding VGE(th) min.
3V
Port/emitterspænding VGE(th)max.
6V
RoHS
ja
Spec info
Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A)
Td(fra)
99 ns
Td(on)
25 ns
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier