N-kanal transistor IRG4PH50K, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V

N-kanal transistor IRG4PH50K, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V

Antal
Enhedspris
1-4
69.00kr
5-9
62.33kr
10-24
57.13kr
25-49
53.14kr
50+
46.93kr
Antal på lager: 32

N-kanal transistor IRG4PH50K, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Antal terminaler: 3. C (i): 2800pF. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -40...+150°C. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Germanium diode: ingen. Ic (puls): 90A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 45A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mætningsspænding VCE (sat): 2.77V. Omkostninger): 140pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. RoHS: ja. Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Td(fra): 200 ns. Td(on): 36ns. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30

Teknisk dokumentation (PDF)
IRG4PH50K
25 parametre
Ic(T=100°C)
24A
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT
Kollektor/emitterspænding Vceo
1200V
Antal terminaler
3
C (i)
2800pF
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-40...+150°C
Funktion
Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed)
Germanium diode
ingen
Ic (puls)
90A
Kanaltype
N
Kollektorstrøm
45A
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mætningsspænding VCE (sat)
2.77V
Omkostninger)
140pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
200W
Port/emitter spænding VGE
20V
Port/emitterspænding VGE(th) min.
3V
Port/emitterspænding VGE(th)max.
6V
RoHS
ja
Spec info
td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C
Td(fra)
200 ns
Td(on)
36ns
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier