N-kanal transistor IRG4PH50KD, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V

N-kanal transistor IRG4PH50KD, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V

Antal
Enhedspris
1-4
138.91kr
5-9
123.54kr
10-24
111.23kr
25-49
101.23kr
50+
87.49kr
Antal på lager: 12

N-kanal transistor IRG4PH50KD, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1220V. Antal terminaler: 3. C (i): 2800pF. CE-diode: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Germanium diode: ingen. Ic (puls): 90A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 45A. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 25. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mætningsspænding VCE (sat): 2.77V. Omkostninger): 140pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. RoHS: ja. Td(fra): 140 ns. Td(on): 87 ns. Trr-diode (min.): 90 ns. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30

Teknisk dokumentation (PDF)
IRG4PH50KD
27 parametre
Ic(T=100°C)
24A
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT
Kollektor/emitterspænding Vceo
1220V
Antal terminaler
3
C (i)
2800pF
CE-diode
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed)
Germanium diode
ingen
Ic (puls)
90A
Kanaltype
N
Kollektorstrøm
45A
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
25
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mætningsspænding VCE (sat)
2.77V
Omkostninger)
140pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
200W
Port/emitter spænding VGE
20V
Port/emitterspænding VGE(th) min.
3V
Port/emitterspænding VGE(th)max.
6V
RoHS
ja
Td(fra)
140 ns
Td(on)
87 ns
Trr-diode (min.)
90 ns
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier