N-kanal transistor, 24A, TO-247 , TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH50U

N-kanal transistor, 24A, TO-247 , TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH50U. N-kanal transistor, 24A, TO-247 , TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. C (i): 3600pF. Omkostninger): 160pF. CE-diode: NINCS. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 25. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). Germanium diode: NINCS. Kollektorstrøm: 45A. Ic (puls): 180A. Mærkning på kabinettet: IRG4PH50U. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 200 ns. Td(on): 35 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.56V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Originalt produkt fra producenten International Rectifier. Antal på lager opdateret den 25/07/2025, 15:25.