N-kanal transistor IRL2203N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

N-kanal transistor IRL2203N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
15.25kr
5-24
12.80kr
25-49
11.22kr
50-99
10.14kr
100+
8.41kr
Antal på lager: 37

N-kanal transistor IRL2203N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.07 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 3290pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 400A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 1270pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. RoHS: ja. Td(fra): 23 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30

Teknisk dokumentation (PDF)
IRL2203N
29 parametre
ID (T=100°C)
60A
ID (T=25°C)
116A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.07 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
3290pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
16V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
400A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
1270pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
180W
RoHS
ja
Td(fra)
23 ns
Td(on)
11 ns
Teknologi
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diode (min.)
56 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier