N-kanal transistor IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

N-kanal transistor IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Antal
Enhedspris
1-4
23.92kr
5-24
21.01kr
25-49
18.64kr
50-99
16.84kr
100+
14.41kr
Antal på lager: 9

N-kanal transistor IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.026 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 3700pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Logisk niveau. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. IDss (min): 10uA. Id(imp): 190A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 630pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Td(fra): 49 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRL2910
25 parametre
ID (T=100°C)
39A
ID (T=25°C)
55A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.026 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
100V
C (i)
3700pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Logisk niveau
Gate / kilde spænding Vgs
16V
IDss (min)
10uA
Id(imp)
190A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
630pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
200W
Td(fra)
49 ns
Td(on)
11 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
2V
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier