N-kanal transistor IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V

N-kanal transistor IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V

Antal
Enhedspris
1-4
15.60kr
5-24
13.76kr
25-49
12.35kr
50-99
11.12kr
100+
9.68kr
Antal på lager: 779

N-kanal transistor IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 36A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.044 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 1800pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Portstyring efter logisk niveau. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 60.4k Ohms. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 350pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 140W. RoHS: ja. Td(fra): 39 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRL540NS
26 parametre
ID (T=100°C)
26A
ID (T=25°C)
36A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.044 Ohms
Hus
D2PAK ( TO-263 )
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
1800pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Portstyring efter logisk niveau
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
16V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
60.4k Ohms
Kanaltype
N
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
350pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
140W
RoHS
ja
Td(fra)
39 ns
Td(on)
11 ns
Teknologi
HEXFET® Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
2V
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies