N-kanal transistor IRL640, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

N-kanal transistor IRL640, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

Antal
Enhedspris
1-4
14.29kr
5-49
11.81kr
50-99
10.54kr
100+
9.33kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 26

N-kanal transistor IRL640, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.18 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 200V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 1800pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 10V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 68A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 480pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja. Td(fra): 44 ns. Td(on): 8 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 310 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRL640
30 parametre
ID (T=100°C)
11A
ID (T=25°C)
17A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.18 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
200V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
1800pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
10V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
68A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
480pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
125W
RoHS
ja
Td(fra)
44 ns
Td(on)
8 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
310 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
2V
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til IRL640