N-kanal transistor IRLB1304PTPBF, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

N-kanal transistor IRLB1304PTPBF, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

Antal
Enhedspris
1-4
43.49kr
5-24
38.49kr
25-49
35.59kr
50+
32.69kr
Antal på lager: 81

N-kanal transistor IRLB1304PTPBF, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.004 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 40V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 7660pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Portstyring efter logisk niveau. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 740A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 2150pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. RoHS: ja. Td(fra): 45 ns. Td(on): 21 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET transistor, logisk niveaustyret. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

IRLB1304PTPBF
29 parametre
ID (T=100°C)
130A
ID (T=25°C)
185A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.004 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
40V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
7660pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Portstyring efter logisk niveau
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
16V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
740A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
2150pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
300W
RoHS
ja
Td(fra)
45 ns
Td(on)
21 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET transistor, logisk niveaustyret
Trr-diode (min.)
100 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier