N-kanal transistor IRLD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (maks.): 1.7A. On-resistance Rds On: 0.20 Ohms. Hus: DIP. Hus (i henhold til datablad): HVMDIP ( DIP-4 ). Spænding Vds (maks.): 60V. Antal terminaler: 4. Funktion: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: FET. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43