N-kanal transistor IRLML2502, SOT-23 ( TO-236 ), 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V
| +10 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 1318 |
N-kanal transistor IRLML2502, SOT-23 ( TO-236 ), 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. Idss (maks.): 25uA. On-resistance Rds On: 0.035 Ohms. Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spænding Vds (maks.): 20V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 740pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Drænkildespænding: 20V. Effekt: 1.25W. Egenskaber af halvleder: Logisk niveau. Funktion: Ultra Low On-Resistance. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 12V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 33A. Kanaltype: N. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 3000. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 90pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1uA. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Td(fra): 54 ns. Td(on): 7.5 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 16 ns. Type transistor: MOSFET. Tøm strøm: 4.2A. Vgs (th) min.: 0.6V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43