N-kanal transistor IRLR024NTRPBF, TO252AA, DPAK
Antal
Enhedspris
1-4
10.15kr
5-9
6.37kr
10-19
5.25kr
20-49
4.66kr
50+
4.24kr
| +1710 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 75 |
N-kanal transistor IRLR024NTRPBF, TO252AA, DPAK. Hus: TO252AA, DPAK. Boliger termisk modstand: 3.3K/W. Drænkildespænding: 55V. Effekt: 38W. Egenskaber af halvleder: Logisk niveau. Gate-source spænding: 16V, ±16V. Montering / installation: SMD. Oplade: 10nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET®. Type transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Tøm strøm: 17A. Originalt produkt fra producenten: Infineon (irf). Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43
IRLR024NTRPBF
14 parametre
Hus
TO252AA, DPAK
Boliger termisk modstand
3.3K/W
Drænkildespænding
55V
Effekt
38W
Egenskaber af halvleder
Logisk niveau
Gate-source spænding
16V, ±16V
Montering / installation
SMD
Oplade
10nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Teknologi
HEXFET®
Type transistor
N-MOSFET, HEXFET, logic level
Tøm strøm
17A
Originalt produkt fra producenten
Infineon (irf)