N-kanal transistor IRLR120N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.185 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 2. C (i): 440pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 35A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 97pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 48W. RoHS: ja. Spec info: Portstyring efter logisk niveau. Td(fra): 23 ns. Td(on): 4 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Ækvivalenter: IRLR120NTRPBF. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43