N-kanal transistor IRLR2705, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

N-kanal transistor IRLR2705, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Antal
Enhedspris
1-4
7.87kr
5-24
6.43kr
25-49
5.62kr
50-99
5.09kr
100+
4.31kr
Antal på lager: 15

N-kanal transistor IRLR2705, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.04 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 2. C (i): 880pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Gatedrev på logisk niveau, hurtig skift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 75. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 220pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 68W. RoHS: ja. Spec info: lav modstand R-on 0,040 Ohm. Td(fra): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 76 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRLR2705
33 parametre
ID (T=100°C)
20A
ID (T=25°C)
28A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.04 Ohms
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spænding Vds (maks.)
55V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
2
C (i)
880pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Gatedrev på logisk niveau, hurtig skift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
16V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
110A
Kanaltype
N
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
75
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
220pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
68W
RoHS
ja
Spec info
lav modstand R-on 0,040 Ohm
Td(fra)
21 ns
Td(on)
8.9 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
76 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
2V
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier