N-kanal transistor IRLR2705PBF, TO252AA, DPAK
Antal
Enhedspris
1-4
11.52kr
5-9
7.21kr
10-19
6.08kr
20-49
5.49kr
50+
5.05kr
| Antal på lager: 50 |
N-kanal transistor IRLR2705PBF, TO252AA, DPAK. Hus: TO252AA, DPAK. Boliger termisk modstand: 2.7K/W. Drænkildespænding: 55V. Effekt: 68W. Egenskaber af halvleder: Logisk niveau. Gate-source spænding: 16V, ±16V. Montering / installation: SMD. Oplade: 16.7nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET®. Type transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Tøm strøm: 28A. Originalt produkt fra producenten: Infineon (irf). Antal på lager opdateret den 02/01/2026, 01:54
IRLR2705PBF
14 parametre
Hus
TO252AA, DPAK
Boliger termisk modstand
2.7K/W
Drænkildespænding
55V
Effekt
68W
Egenskaber af halvleder
Logisk niveau
Gate-source spænding
16V, ±16V
Montering / installation
SMD
Oplade
16.7nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Teknologi
HEXFET®
Type transistor
N-MOSFET, HEXFET, logic level
Tøm strøm
28A
Originalt produkt fra producenten
Infineon (irf)