N-kanal transistor IRLR3705ZPBF, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

N-kanal transistor IRLR3705ZPBF, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Antal
Enhedspris
1-4
13.25kr
5-24
11.60kr
25-74
10.11kr
75-149
9.20kr
150+
7.92kr
+82 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 132

N-kanal transistor IRLR3705ZPBF, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 6.5m Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 2. C (i): 2900pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Portstyring efter logisk niveau. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 360A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 420pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. RoHS: ja. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(fra): 33 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 21ms. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRLR3705ZPBF
31 parametre
ID (T=100°C)
63A
ID (T=25°C)
89A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
6.5m Ohms
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spænding Vds (maks.)
55V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
2
C (i)
2900pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Portstyring efter logisk niveau
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
16V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
360A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
420pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
130W
RoHS
ja
Spec info
AUTOMOTIVE MOSFET
Td(fra)
33 ns
Td(on)
17 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
21ms
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
3V
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier