N-kanal transistor IRLR8721, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

N-kanal transistor IRLR8721, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Antal
Enhedspris
1-1
9.48kr
2-4
9.48kr
5-49
7.83kr
50-99
6.69kr
100+
5.61kr
Antal på lager: 24

N-kanal transistor IRLR8721, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (maks.): 150uA. On-resistance Rds On: 6.3m Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 2. C (i): 1030pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Meget lav RDS på resistensen ved 4,5V VG er. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 260A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 350pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja. Spec info: Ultra-lav portimpedans. Td(fra): 9.4 ns. Td(on): 8.8 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 17 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2.35V. Vgs (th) min.: 1.35V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRLR8721
31 parametre
ID (T=100°C)
46A
ID (T=25°C)
65A
Idss (maks.)
150uA
On-resistance Rds On
6.3m Ohms
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
2
C (i)
1030pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Meget lav RDS på resistensen ved 4,5V VG er
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
260A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
350pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
65W
RoHS
ja
Spec info
Ultra-lav portimpedans
Td(fra)
9.4 ns
Td(on)
8.8 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
17 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
2.35V
Vgs (th) min.
1.35V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier