N-kanal transistor IRLZ34N, TO-220, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220AB, 55V

N-kanal transistor IRLZ34N, TO-220, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220AB, 55V

Antal
Enhedspris
1-4
8.24kr
5-24
7.08kr
25-49
6.26kr
50-99
5.68kr
100+
4.86kr
+25 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 960

N-kanal transistor IRLZ34N, TO-220, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220AB, 55V. Hus: TO-220. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.035 Ohms. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. Boliger termisk modstand: 2.7K/W. C (i): 880pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Drænkildespænding: 55V. Effekt: 56W. Egenskaber af halvleder: Logisk niveau. Funktion: Portstyring efter logisk niveau. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. Gate-source spænding: 16V, ±16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaltype: N. Konditionering: tubus. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 220pF. Oplade: 16.7nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 68W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Td(fra): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 76 ns. Type transistor: MOSFET. Tøm strøm: 27A. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRLZ34N
39 parametre
Hus
TO-220
ID (T=100°C)
21A
ID (T=25°C)
30A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.035 Ohms
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
55V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
Boliger termisk modstand
2.7K/W
C (i)
880pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Drænkildespænding
55V
Effekt
56W
Egenskaber af halvleder
Logisk niveau
Funktion
Portstyring efter logisk niveau
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
16V
Gate-source spænding
16V, ±16V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
110A
Kanaltype
N
Konditionering
tubus
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
220pF
Oplade
16.7nC
Pd (Strømafledning, maks.) )
68W
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Td(fra)
21 ns
Td(on)
8.9 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
76 ns
Type transistor
MOSFET
Tøm strøm
27A
Vgs (th) maks.
2V
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier