N-kanal transistor IRLZ44NPBF, TO-220AB, 55V, 0.022 Ohms
Antal
Enhedspris
1-4
19.12kr
5-9
11.91kr
10-19
10.74kr
20-49
10.05kr
50+
9.51kr
| +301 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 25 |
N-kanal transistor IRLZ44NPBF, TO-220AB, 55V, 0.022 Ohms. Hus: TO-220AB. Drain-source spænding (Vds): 55V. On-resistance Rds On: 0.022 Ohms. Boliger termisk modstand: 1.8K/W. Drænkildespænding: 55V. Effekt: 83W. Egenskaber af halvleder: Logisk niveau. Gate-source spænding: 16V, ±16V. Kanaltype: N. Konditionering: tubus. Kontrollere: Logik-niveau. Max drænstrøm: 41A. Montering / installation: THT. Oplade: 32nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ingen. Teknologi: HEXFET®. Type transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Tøm strøm: 41A. Originalt produkt fra producenten: Infineon (irf). Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43
IRLZ44NPBF
20 parametre
Hus
TO-220AB
Drain-source spænding (Vds)
55V
On-resistance Rds On
0.022 Ohms
Boliger termisk modstand
1.8K/W
Drænkildespænding
55V
Effekt
83W
Egenskaber af halvleder
Logisk niveau
Gate-source spænding
16V, ±16V
Kanaltype
N
Konditionering
tubus
Kontrollere
Logik-niveau
Max drænstrøm
41A
Montering / installation
THT
Oplade
32nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ingen
Teknologi
HEXFET®
Type transistor
N-MOSFET, HEXFET, logic level
Tøm strøm
41A
Originalt produkt fra producenten
Infineon (irf)