N-kanal transistor IXFH26N60Q, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V

N-kanal transistor IXFH26N60Q, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V

Antal
Enhedspris
1-4
200.16kr
5-9
190.63kr
10-24
169.11kr
25+
157.83kr
Antal på lager: 5

N-kanal transistor IXFH26N60Q, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. ID (T=25°C): 26A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 0.25 Ohms. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247AD. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 4700pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 104A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 580pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 360W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(fra): 80 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: HiPerFet Power MOSFET. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 2.5V. Originalt produkt fra producenten: IXYS. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IXFH26N60Q
30 parametre
ID (T=25°C)
26A
Idss (maks.)
1mA
On-resistance Rds On
0.25 Ohms
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247AD
Spænding Vds (maks.)
600V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
4700pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
104A
Kanaltype
N
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
30
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
580pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
360W
RoHS
ja
Spec info
dv/dt 10V/ns
Td(fra)
80 ns
Td(on)
30 ns
Teknologi
HiPerFet Power MOSFET
Trr-diode (min.)
250 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
2.5V
Originalt produkt fra producenten
IXYS