N-kanal transistor IXFH32N50, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V

N-kanal transistor IXFH32N50, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V

Antal
Enhedspris
1-4
202.66kr
5-9
193.01kr
10-24
176.41kr
25+
164.99kr
Forældet produkt, vil snart blive fjernet fra kataloget
Udsolgt
Ækvivalens tilgængelig

N-kanal transistor IXFH32N50, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V. ID (T=25°C): 32A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 0.15 Ohms. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247AD. Spænding Vds (maks.): 500V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 5700pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 200uA. Id(imp): 128A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 750pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 360W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(fra): 110 ns. Td(on): 35 ns. Teknologi: HiPerFet Power MOSFET. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: IXYS. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IXFH32N50
31 parametre
ID (T=25°C)
32A
Idss (maks.)
1mA
On-resistance Rds On
0.15 Ohms
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247AD
Spænding Vds (maks.)
500V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
5700pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
200uA
Id(imp)
128A
Kanaltype
N
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
30
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
750pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
360W
RoHS
ja
Spec info
dv/dt 5V/ns
Td(fra)
110 ns
Td(on)
35 ns
Teknologi
HiPerFet Power MOSFET
Trr-diode (min.)
250 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
IXYS

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til IXFH32N50