N-kanal transistor IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V

N-kanal transistor IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V

Antal
Enhedspris
1-4
125.71kr
5-9
111.89kr
10-14
103.48kr
15-29
98.05kr
30+
90.45kr
Antal på lager: 9

N-kanal transistor IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V. ID (T=25°C): 105A. Idss (maks.): 2uA. On-resistance Rds On: 17m Ohms. Hus: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hus (i henhold til datablad): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Spænding Vds (maks.): 200V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. Bemærk: isolationsspænding 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minut. C (i): 9100pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Elektrisk isoleret bagside. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 100uA. Id(imp): 480A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 2200pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 400W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(fra): 110 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: Polar HiPerFet Power MOSFET. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: IXYS. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IXFR120N20P
33 parametre
ID (T=25°C)
105A
Idss (maks.)
2uA
On-resistance Rds On
17m Ohms
Hus
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Hus (i henhold til datablad)
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Spænding Vds (maks.)
200V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
Bemærk
isolationsspænding 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minut
C (i)
9100pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Elektrisk isoleret bagside
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
100uA
Id(imp)
480A
Kanaltype
N
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
30
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
2200pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
400W
RoHS
ja
Spec info
dv/dt 5V/ns
Td(fra)
110 ns
Td(on)
40 ns
Teknologi
Polar HiPerFet Power MOSFET
Trr-diode (min.)
250 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
IXYS