N-kanal transistor IXFR200N10P, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V

N-kanal transistor IXFR200N10P, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V

Antal
Enhedspris
1-4
185.42kr
5-9
176.59kr
10-24
161.40kr
25+
150.01kr
Antal på lager: 10

N-kanal transistor IXFR200N10P, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 133A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 0.009 Ohms. Hus: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hus (i henhold til datablad): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. Bemærk: isolationsspænding 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minut. C (i): 7600pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Elektrisk isoleret bagside. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 400A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 2900pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(fra): 150 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: Polar HiPerFet Power MOSFET. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: IXYS. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IXFR200N10P
32 parametre
ID (T=100°C)
75A
ID (T=25°C)
133A
Idss (maks.)
1mA
On-resistance Rds On
0.009 Ohms
Hus
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Hus (i henhold til datablad)
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
Bemærk
isolationsspænding 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minut
C (i)
7600pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Elektrisk isoleret bagside
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
400A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
2900pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
300W
RoHS
ja
Spec info
dv/dt 10V/ns
Td(fra)
150 ns
Td(on)
30 ns
Teknologi
Polar HiPerFet Power MOSFET
Trr-diode (min.)
150 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
IXYS