N-kanal transistor IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V

N-kanal transistor IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V

Antal
Enhedspris
1-4
103.89kr
5-24
96.19kr
25-49
84.30kr
50+
78.09kr
Antal på lager: 34

N-kanal transistor IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AD ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. Bemærk: HiPerFAST IGBT transistor. C (i): 1500pF. CE-diode: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: HiPerFAST IGBT with Diode. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 80A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 48A. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mætningsspænding VCE (sat): 2.1V. Omkostninger): 170pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 2.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 5.5V. Td(fra): 75 ns. Td(on): 15 ns. Trr-diode (min.): 130 ns. Originalt produkt fra producenten: IXYS. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IXGH24N60CD1
26 parametre
Ic(T=100°C)
24A
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247 ( AD )
Kollektor/emitterspænding Vceo
600V
Antal terminaler
3
Bemærk
HiPerFAST IGBT transistor
C (i)
1500pF
CE-diode
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
HiPerFAST IGBT with Diode
Germanium diode
ingen
Ic (puls)
80A
Kanaltype
N
Kollektorstrøm
48A
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
2.5V
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mætningsspænding VCE (sat)
2.1V
Omkostninger)
170pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
150W
Port/emitter spænding VGE
20V
Port/emitterspænding VGE(th) min.
2.5V
Port/emitterspænding VGE(th)max.
5.5V
Td(fra)
75 ns
Td(on)
15 ns
Trr-diode (min.)
130 ns
Originalt produkt fra producenten
IXYS