N-kanal transistor IXGH32N60BU1, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V

N-kanal transistor IXGH32N60BU1, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V

Antal
Enhedspris
1-4
158.71kr
5-9
151.15kr
10-24
134.08kr
25+
124.33kr
Antal på lager: 23

N-kanal transistor IXGH32N60BU1, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C (i): 2700pF. CE-diode: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Germanium diode: -. Ic (puls): 60.4k Ohms. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 60A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mætningsspænding VCE (sat): 2.3V. Omkostninger): 270pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 2.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 5V. RoHS: ja. Td(fra): 100 ns. Td(on): 25 ns. Trr-diode (min.): 120ns. Originalt produkt fra producenten: IXYS. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IXGH32N60BU1
24 parametre
Ic(T=100°C)
32A
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT
Kollektor/emitterspænding Vceo
600V
Antal terminaler
3
C (i)
2700pF
CE-diode
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed)
Ic (puls)
60.4k Ohms
Kanaltype
N
Kollektorstrøm
60A
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mætningsspænding VCE (sat)
2.3V
Omkostninger)
270pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
200W
Port/emitter spænding VGE
20V
Port/emitterspænding VGE(th) min.
2.5V
Port/emitterspænding VGE(th)max.
5V
RoHS
ja
Td(fra)
100 ns
Td(on)
25 ns
Trr-diode (min.)
120ns
Originalt produkt fra producenten
IXYS