N-kanal transistor IXGR60N60C3D1, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V

N-kanal transistor IXGR60N60C3D1, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V

Antal
Enhedspris
1-4
92.85kr
5-9
90.31kr
10-24
88.04kr
25+
85.69kr
Antal på lager: 36

N-kanal transistor IXGR60N60C3D1, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. Bemærk: isolering 2500V (50/60Hz RMS, t=1 minut). C (i): 2113pF. CE-diode: ja. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: IGBT med ultrahurtig blød gendannelsesdiode. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 260A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 75A. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 25. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.9V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mætningsspænding VCE (sat): 1.6V. Omkostninger): 197pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 268W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4 v. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.5V. RoHS: ja. Td(fra): 127 ns. Td(on): 43 ns. Originalt produkt fra producenten: IXYS. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

IXGR60N60C3D1
28 parametre
Ic(T=100°C)
30A
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247AC
Kollektor/emitterspænding Vceo
600V
Antal terminaler
3
Bemærk
isolering 2500V (50/60Hz RMS, t=1 minut)
C (i)
2113pF
CE-diode
ja
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
IGBT med ultrahurtig blød gendannelsesdiode
Germanium diode
ingen
Ic (puls)
260A
Kanaltype
N
Kollektorstrøm
75A
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
25
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
1.9V
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mætningsspænding VCE (sat)
1.6V
Omkostninger)
197pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
268W
Port/emitter spænding VGE
20V
Port/emitterspænding VGE(th) min.
4 v
Port/emitterspænding VGE(th)max.
6.5V
RoHS
ja
Td(fra)
127 ns
Td(on)
43 ns
Originalt produkt fra producenten
IXYS