N-kanal transistor IXTP50N25T, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V

N-kanal transistor IXTP50N25T, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V

Antal
Enhedspris
1-4
82.82kr
5-9
72.02kr
10-24
64.31kr
25-49
57.93kr
50+
47.90kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 26

N-kanal transistor IXTP50N25T, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V. ID (T=25°C): 50A. Idss (maks.): 150uA. On-resistance Rds On: 92 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 300V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 4000pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 130A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 420pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. RoHS: ja. Td(fra): 97 ns. Td(on): 24 ns. Teknologi: PolarHT Power MOSFET. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: IXYS. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IXTP50N25T
29 parametre
ID (T=25°C)
50A
Idss (maks.)
150uA
On-resistance Rds On
92 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220
Spænding Vds (maks.)
300V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
4000pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
N-Channel Enhancement Mode
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
130A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
420pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
300W
RoHS
ja
Td(fra)
97 ns
Td(on)
24 ns
Teknologi
PolarHT Power MOSFET
Trr-diode (min.)
250 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
IXYS

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til IXTP50N25T