N-kanal transistor IXTP90N055T2, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V

N-kanal transistor IXTP90N055T2, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V

Antal
Enhedspris
1-4
30.79kr
5-24
26.84kr
25-49
23.49kr
50-99
20.73kr
100+
17.08kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 40

N-kanal transistor IXTP90N055T2, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (maks.): 200uA. On-resistance Rds On: 0.07 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 2770pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 2uA. Id(imp): 240A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 420pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja. Td(fra): 39 ns. Td(on): 19 ns. Teknologi: TrenchT2TM Power MOSFET. Trr-diode (min.): 37 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: IXYS. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IXTP90N055T2
30 parametre
Ic(T=100°C)
75A
ID (T=25°C)
90A
Idss (maks.)
200uA
On-resistance Rds On
0.07 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220
Spænding Vds (maks.)
55V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
2770pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
N-Channel Enhancement Mode
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
2uA
Id(imp)
240A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
420pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
150W
RoHS
ja
Td(fra)
39 ns
Td(on)
19 ns
Teknologi
TrenchT2TM Power MOSFET
Trr-diode (min.)
37 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
IXYS

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til IXTP90N055T2