N-kanal transistor IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

N-kanal transistor IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

Antal
Enhedspris
1-4
110.22kr
5-14
102.05kr
15-29
96.02kr
30+
89.98kr
Antal på lager: 36

N-kanal transistor IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 40m Ohms. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 300V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 6300pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 100uA. Id(imp): 220A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 950pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 600W. RoHS: ja. Td(fra): 96 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: PolarHT Power MOSFET. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 2.5V. Originalt produkt fra producenten: IXYS. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
IXTQ88N30P
30 parametre
ID (T=100°C)
75A
ID (T=25°C)
88A
Idss (maks.)
1mA
On-resistance Rds On
40m Ohms
Hus
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-3P
Spænding Vds (maks.)
300V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
6300pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
N-Channel Enhancement Mode
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
100uA
Id(imp)
220A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
950pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
600W
RoHS
ja
Td(fra)
96 ns
Td(on)
25 ns
Teknologi
PolarHT Power MOSFET
Trr-diode (min.)
250 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
5V
Vgs (th) min.
2.5V
Originalt produkt fra producenten
IXYS