N-kanal transistor MDF11N65B, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 1uA. On-resistance Rds On: 0.45 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO220F. Spænding Vds (maks.): 650V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1650pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: SMPS, højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 48A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Omkostninger): 180pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 49.6W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(fra): 132 ns. Td(on): 27 ns. Teknologi: Cool Mos POWER transistor. Trr-diode (min.): 355 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Magnachip Semiconductor. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43