N-kanal transistor MMBF4392LT1G, SOT-23, 30 v, 25mA

N-kanal transistor MMBF4392LT1G, SOT-23, 30 v, 25mA

Antal
Enhedspris
1-99
4.12kr
100-499
2.47kr
500-999
1.93kr
1000+
1.85kr
Antal på lager: 2410

N-kanal transistor MMBF4392LT1G, SOT-23, 30 v, 25mA. Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): -. Drain-source spænding Uds [V]: 30 v. Drænstrøm Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. Antal terminaler: 3. Gate-source breakpoint spænding Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Komponentfamilie: N-kanal JFET transistor. Konfiguration: overflademonteret komponent (SMD). Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. Max temperatur: +150°C.. Producentens mærkning: 6K. RoHS: ja. Originalt produkt fra producenten: Onsemi. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
MMBF4392LT1G
12 parametre
Hus
SOT-23
Drain-source spænding Uds [V]
30 v
Drænstrøm Idss [A] @ Ug=0V
25mA
Antal terminaler
3
Gate-source breakpoint spænding Ugss [V] @ Uds=0V
-2V @ +15V
Komponentfamilie
N-kanal JFET transistor
Konfiguration
overflademonteret komponent (SMD)
Maksimal dissipation Ptot [W]
0.225W
Max temperatur
+150°C.
Producentens mærkning
6K
RoHS
ja
Originalt produkt fra producenten
Onsemi