| Forældet produkt, vil snart blive fjernet fra kataloget. Sidste varer tilgængelige | |
| Antal på lager: 285 |
N-kanal transistor NDB6030L, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v
Antal
Enhedspris
1-4
12.12kr
5-49
10.02kr
50-99
8.40kr
100+
7.59kr
| Ækvivalens tilgængelig | |
| Antal på lager: 65 |
N-kanal transistor NDB6030L, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. Idss (maks.): 52A. On-resistance Rds On: 0.011 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 156A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Teknologi: Field Effect Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: National Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14
NDB6030L
15 parametre
ID (T=25°C)
52A
Idss (maks.)
52A
On-resistance Rds On
0.011 Ohms
Hus
D2PAK ( TO-263 )
Hus (i henhold til datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spænding Vds (maks.)
30 v
Funktion
Logic Level Enhancement Mode
Id(imp)
156A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Pd (Strømafledning, maks.) )
75W
Teknologi
Field Effect Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Originalt produkt fra producenten
National Semiconductor