N-kanal transistor NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

N-kanal transistor NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
14.36kr
5-24
12.54kr
25-49
11.27kr
50-99
10.40kr
100+
9.21kr
Antal på lager: 32

N-kanal transistor NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 96A. ID (T=25°C): 124A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 3.4M Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 2. Bemærk: serigrafi/SMD-kode 4804NG. C (i): 4490pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 230A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 4804NG. Omkostninger): 952pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 107W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 230A. Td(fra): 24 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: Power MOSFET. Trr-diode (min.): 34 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2.5V. Vgs (th) min.: 1.5V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
NTD4804NT4G
32 parametre
ID (T=100°C)
96A
ID (T=25°C)
124A
Idss (maks.)
10uA
On-resistance Rds On
3.4M Ohms
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
2
Bemærk
serigrafi/SMD-kode 4804NG
C (i)
4490pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
230A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
4804NG
Omkostninger)
952pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
107W
RoHS
ja
Spec info
ID pulse 230A
Td(fra)
24 ns
Td(on)
18 ns
Teknologi
Power MOSFET
Trr-diode (min.)
34 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
2.5V
Vgs (th) min.
1.5V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor