N-kanal transistor P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V

N-kanal transistor P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V

Antal
Enhedspris
1-4
14.32kr
5-24
11.84kr
25-49
9.99kr
50+
8.85kr
Antal på lager: 779

N-kanal transistor P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (maks.): 10A. On-resistance Rds On: 0.03 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spænding Vds (maks.): 40V. Afløbskildebeskyttelse: ingen. C (i): 790pF. Funktion: Forbedring af logisk niveau. GS-beskyttelse: ingen. Id(imp): 40A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 175pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 32W. RoHS: ja. Td(fra): 11.8 ns. Td(on): 2.2 ns. Teknologi: Felteffekttransistor. Trr-diode (min.): 15.5 ns. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: Niko-semi. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
P2804BDG
25 parametre
ID (T=100°C)
8A
ID (T=25°C)
10A
Idss
1uA
Idss (maks.)
10A
On-resistance Rds On
0.03 Ohms
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( D-PAK )
Spænding Vds (maks.)
40V
Afløbskildebeskyttelse
ingen
C (i)
790pF
Funktion
Forbedring af logisk niveau
GS-beskyttelse
ingen
Id(imp)
40A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
175pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
32W
RoHS
ja
Td(fra)
11.8 ns
Td(on)
2.2 ns
Teknologi
Felteffekttransistor
Trr-diode (min.)
15.5 ns
Type transistor
MOSFET
Originalt produkt fra producenten
Niko-semi