N-kanal transistor PHB45N03LT, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.016 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-404. Spænding Vds (maks.): 25V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 2. C (i): 920pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Felteffekt effekttransistor, Logisk niveaukontrol. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 15V. IDss (min): 0.05uA. Id(imp): 180A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 260pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 86W. RoHS: ja. Td(fra): 78 ns. Td(on): 6 ns. Teknologi: TrenchMOS transistor. Trr-diode (min.): 52 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: Philips Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14