N-kanal transistor PSMN013-100BS-118, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V

N-kanal transistor PSMN013-100BS-118, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V

Antal
Enhedspris
1-4
17.61kr
5-9
15.84kr
10-24
14.58kr
25-49
13.52kr
50+
12.00kr
Antal på lager: 54

N-kanal transistor PSMN013-100BS-118, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V. ID (T=100°C): 47A. ID (T=25°C): 68A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 13.9m Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK (SOT404). Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 3195pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: standard skift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 0.06uA. Id(imp): 272A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 221pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 170W. RoHS: ja. Td(fra): 52.5 ns. Td(on): 20.7 ns. Trr-diode (min.): 52 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Nxp Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

PSMN013-100BS-118
28 parametre
ID (T=100°C)
47A
ID (T=25°C)
68A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
13.9m Ohms
Hus
D2PAK ( TO-263 )
Hus (i henhold til datablad)
D2PAK (SOT404)
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
3195pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
standard skift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
0.06uA
Id(imp)
272A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
221pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
170W
RoHS
ja
Td(fra)
52.5 ns
Td(on)
20.7 ns
Trr-diode (min.)
52 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Nxp Semiconductors