N-kanal transistor PSMN015-100P, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. ID (T=100°C): 60.8A. ID (T=25°C): 75A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 12m Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 4900pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 0.05uA. Id(imp): 240A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 390pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. RoHS: ja. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Td(fra): 95 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: enhancement mode field-effect transistor. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Philips Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14