N-kanal transistor PSMN035-150P, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V

N-kanal transistor PSMN035-150P, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V

Antal
Enhedspris
1-4
29.83kr
5-24
26.39kr
25-49
22.28kr
50+
20.01kr
Forældet produkt, vil snart blive fjernet fra kataloget
Udsolgt

N-kanal transistor PSMN035-150P, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 50A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 30 milliOhms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Spænding Vds (maks.): 150V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 4720pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 0.05uA. Id(imp): 200A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 456pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 250W. RoHS: ja. Spec info: IDM--200A (Tmb 25°C; pulsed). Td(fra): 79 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: enhancement mode field-effect transistor. Trr-diode (min.): 118 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Philips Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
PSMN035-150P
32 parametre
ID (T=100°C)
36A
ID (T=25°C)
50A
Idss (maks.)
500uA
On-resistance Rds On
30 milliOhms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB ( SOT78 )
Spænding Vds (maks.)
150V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
4720pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
0.05uA
Id(imp)
200A
Kanaltype
N
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
50
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
456pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
250W
RoHS
ja
Spec info
IDM--200A (Tmb 25°C; pulsed)
Td(fra)
79 ns
Td(on)
25 ns
Teknologi
enhancement mode field-effect transistor
Trr-diode (min.)
118 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Philips Semiconductors