N-kanal transistor RJP30E4, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 360V. Antal terminaler: 3. C (i): 85pF. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: IGBT. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 250A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 30A. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mætningsspænding VCE (sat): 1.6V. Omkostninger): 40pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Port/emitter spænding VGE: 30 v. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 2.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 5V. RoHS: ja. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Td(fra): 90 ns. Td(on): 40 ns. Originalt produkt fra producenten: Renesas Technology. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14