N-kanal transistor SGH30N60RUFD, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V

N-kanal transistor SGH30N60RUFD, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V

Antal
Enhedspris
1-4
44.04kr
5-29
40.03kr
30-59
35.73kr
60+
32.28kr
Antal på lager: 44

N-kanal transistor SGH30N60RUFD, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C (i): 1970pF. CE-diode: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastigheds IGBT. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 90A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 48A. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mærkning på kabinettet: G30N60RUFD. Mætningsspænding VCE (sat): 2.2V. Omkostninger): 310pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 235W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5V. RoHS: ja. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Td(fra): 54 ns. Td(on): 30 ns. Trr-diode (min.): 50 ns. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
SGH30N60RUFD
28 parametre
Ic(T=100°C)
30A
Hus
TO-3PN ( 2-16C1B )
Hus (i henhold til datablad)
TO-3PN
Kollektor/emitterspænding Vceo
600V
Antal terminaler
3
C (i)
1970pF
CE-diode
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Højhastigheds IGBT
Germanium diode
ingen
Ic (puls)
90A
Kanaltype
N
Kollektorstrøm
48A
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
30
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mærkning på kabinettet
G30N60RUFD
Mætningsspænding VCE (sat)
2.2V
Omkostninger)
310pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
235W
Port/emitter spænding VGE
20V
Port/emitterspænding VGE(th) min.
5V
RoHS
ja
Spec info
Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed)
Td(fra)
54 ns
Td(on)
30 ns
Trr-diode (min.)
50 ns
Originalt produkt fra producenten
Fairchild