N-kanal transistor SI4448DY-T1-E3, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 32A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 17m Ohms. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 12V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 8:1. C (i): 12350pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Power MOSFET. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 8V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 70A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 2775pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 7.8W. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Td(fra): 240 ns. Td(on): 38 ns. Teknologi: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr-diode (min.): 84 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 1V. Vgs (th) min.: 0.4V. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14