N-kanal transistor SI4480EY, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (maks.): 20uA. On-resistance Rds On: 0.026 Ohms. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 80V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 8:1. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Power MOSFET. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 40Ap. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3W. Td(fra): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Teknologi: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: -. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14